PECVD系統(tǒng)就是為了使傳統(tǒng)的化學氣象沉積反應溫度降低，普通CVD設備的沉積溫度大多在900℃左右，而在普通CVD裝置的前端加入RF射頻感應裝置將反應氣體電離，形成等離子體，利用等離子體的活性來促進反應，可以使化學氣相沉積的溫度降到400℃左右，所以這個系統(tǒng)稱為增強型化學氣相沉積系統(tǒng)。 PECVD綜合了國內(nèi)大多數(shù)廠家的PECVD系統(tǒng)的優(yōu)點，觸摸屏集中一鍵控制，實驗證明此結(jié)構(gòu)沉積速度快，成膜質(zhì)量好，針孔較少，不易龜裂。而且控制部分采用了自主研發(fā)的實驗電爐AIO全自動智能控制系統(tǒng)，使得操作更加簡便，功能更加強大。
產(chǎn)品用途：
PECVD系統(tǒng)是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發(fā)生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。
主要特點：
1、智能氣路通斷：每路氣體均可定時通斷，自由切換，省時省力；
2、射頻功率的定時控制：預先設定好功率的大小和打開與關閉的時間，自動運行；
3、整機結(jié)構(gòu)融為一體：整機長度只有1.5米，移動方便，避免分散組裝的困擾。
4、AIO控制系統(tǒng)：加熱控制、等離子射頻控制、氣體流量控制、真空系統(tǒng)控制集中于一個7英寸觸摸屏進行統(tǒng)一集中調(diào)節(jié)和操控，協(xié)調(diào)控制：成儀AIO控制系統(tǒng)；
5、爐膛移動速度可調(diào)：根據(jù)實驗要求，用戶可設定爐膛左右移動的速度和距離，在沉積結(jié)束后爐膛可自動移開沉積區(qū)，使樣品快速冷卻；
6、管內(nèi)真空度自動平衡：管內(nèi)真空度實時監(jiān)測，自動平衡。PECVD工藝要求石英管內(nèi)真空度通常在0.1～100Pa之間，PECVD的AIO控制系統(tǒng)會通過真空泵的自動啟停來維持用戶設定的管內(nèi)真空度，使成膜效果達Z佳的均勻性。
時間：2024-10-22
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